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CXMT公司避免被美国打压而重新设计芯片

时间:2019-06-28 21:00:46      阅读:118      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

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日前媒体报道称合肥长鑫(ChangXin Memory Technologies,简称CXMT)公司计划在今年底量产首款内存芯片,是8Gb LPDDR4颗粒,预计Q4季度产能约为2万片晶圆/月,不过产能最终会扩大到12.5万片晶圆/月。

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在国内布局的三大存储芯片基地中,紫光旗下的长江存储240亿美元的投资主要是NAND闪存,DRAM内存有福建晋华以及合肥长鑫,前者跟联电合作,因为跟美光产生了专利纠纷被美国制裁,发展前景并不乐观,那长鑫公司会不会面临美国的打压?

对于这个问题,合肥长鑫一开始也注意到了产权的问题,日经新闻亚洲版日前报道称合肥长鑫重新设计了DRAM内存芯片,尽可能减少美国技术的使用。

不过在这方面,长鑫暂时还无法完全摆脱美国公司的限制,美国应用材料(Applied Materials)、Lam Research及科磊KLA-Tencor等公司生产的半导体制造设备、材料以Cadence和Synopsys等公司的EDA工具是全球半导体行业都绕不开的。此前上海举办的GSA峰会上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲,其中就提到了长鑫DRAM内存的技术来源。朱一明表示长鑫存储通过与其合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中,这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上,利用专用研发线,展开世界速度的快速迭代研发,已持续投入晶圆超过15000片。

根据长鑫公司之前公布的计划,合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成,设备也开始安装。根据计划,长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月。从2020年开始,公司则开始规划二厂,2021年则完成17nn的研发。

本文转自:

CXMT公司避免被美国打压而重新设计芯片

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原文地址:https://www.cnblogs.com/it-artical/p/11104590.html

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